넥스페리아, 업계 선도적 성능의 고효율 GaN FET 출시

디스크리트와 MOSFET 소자, 아날로그 및 로직 IC 전문기업인 넥스페리아 (Nexperia)가 ±20V의 VGS(게이트-소스 전압)과 -55°C~+175°C의 동작 온도 범위를 지원하는 650V GAN063-650WSA 디바이스를 출시하고 GaN(gallium nitride) FET 시장에 본격 진출한다고 밝혔다. 신제품 GAN063-650WSA는 60mΩ 이하의 낮은 RDS(on) 저항과 빠른 스위칭 속도를 통해 매우 뛰어난 효율을 달성한다. 넥스페리아는 xEV, 데...